妓院一钑片免看黄大片,亚洲VA欧美VA天堂V国产综合,激情内射日本一区二区三区,国产精品videossexohd

文章詳情

VIC-3D 全場測量系統(tǒng)助力芯片封裝

日期:2024-11-21 12:00
瀏覽次數(shù):418
摘要: VIC-3D 全場測量系統(tǒng)助力芯片封裝 電子封裝是指安裝半導(dǎo)體集成電路芯片用的外殼,它不僅起著安放、固定、密封、保護(hù)芯片和增強(qiáng)導(dǎo)熱性能的作用,而且還是溝通芯片內(nèi)部世界與外部電路的橋梁——芯片上的接點(diǎn)用導(dǎo)線連接到封裝外殼的引腳上,這些引腳又通過印刷電路板上的導(dǎo)線與其他器件建立連接。因此,對(duì)于很多集成電路產(chǎn)品而言,封裝技術(shù)是非常關(guān)鍵的一環(huán)。 隨著5G、物聯(lián)網(wǎng)等概念深入人心,系統(tǒng)級(jí)封裝器件的需求急劇上升,帶動(dòng)各下游應(yīng)用領(lǐng)域。電子器件是非常復(fù)雜的系統(tǒng),其封裝...

VIC-3D 全場測量系統(tǒng)助力芯片封裝

電子封裝是指安裝半導(dǎo)體集成電路芯片用的外殼,它不僅起著安放、固定、密封、保護(hù)芯片和增強(qiáng)導(dǎo)熱性能的作用,而且還是溝通芯片內(nèi)部世界與外部電路的橋梁——芯片上的接點(diǎn)用導(dǎo)線連接到封裝外殼的引腳上,這些引腳又通過印刷電路板上的導(dǎo)線與其他器件建立連接。因此,對(duì)于很多集成電路產(chǎn)品而言,封裝技術(shù)是非常關(guān)鍵的一環(huán)。


隨著5G、物聯(lián)網(wǎng)等概念深入人心,系統(tǒng)級(jí)封裝器件的需求急劇上升,帶動(dòng)各下游應(yīng)用領(lǐng)域。電子器件是非常復(fù)雜的系統(tǒng),其封裝過程的缺陷和失效也是非常復(fù)雜的。因此,研究封裝缺陷和失效需要對(duì)封裝過程進(jìn)行全場監(jiān)測與分析,這樣才能從多個(gè)角度去探究缺陷產(chǎn)生的原因。


VIC-3D 非接觸全場測量系統(tǒng)作為研究電子封裝失效分析的重要測量工具,廣泛應(yīng)用于電子元器件裝配、引線鍵合、芯片 FCB(倒裝焊) 等電子封裝領(lǐng)域測試分析。


案例一 | 元器件引腳緊固方式和緊固工藝的可靠性及熱效應(yīng)分析


試驗(yàn)背景:在電路板裝配重要元器件過程中,緊固順序和扭矩大小的不同都會(huì)對(duì)元器件,特別是在元器件引腳部位產(chǎn)生裝配應(yīng)力和變形。由此,產(chǎn)品在使用和長時(shí)間工作過程中,元器件引腳因?yàn)槠诨蜓b配應(yīng)力、蠕變,造成無法工作。 因此元器件引腳緊固方式和緊固工藝的可靠性及熱效應(yīng)分析非常重要。 


如下圖所示,在不同扭矩作用下元器件應(yīng)變分布特性:


▲10NM扭矩*大主應(yīng)變   ▲未緊固螺栓原器件周圍分布

▲20NM扭矩*大主應(yīng)變   ▲15NM扭矩*大主應(yīng)變

▲ 不同緊固順序下元器件應(yīng)變分布特性


研究內(nèi)容及關(guān)鍵點(diǎn):


?? 緊固螺栓應(yīng)變影響范圍:0—8mm ;2mm 處2000個(gè)微應(yīng)變(*大應(yīng)變),8mm處只有10幾個(gè)微應(yīng)變,應(yīng)變梯度下降快。普通應(yīng)變片直接覆蓋了整個(gè)階梯下降區(qū)域,無法測量緊固過程中的應(yīng)變分布變化。



?? VIC-3D 應(yīng)變云圖可直接作為緊固方式以及緊固工藝選擇依據(jù);




?? 可通過 VIC-3D 系統(tǒng)獲取的應(yīng)變和應(yīng)變速率變化,直接給出故障診斷依據(jù);




?? 元器件引腳熱效應(yīng)分析——元器件裝配工藝篩選高加速壽命分析,通過 VIC-3D 測試引腳部位應(yīng)變集中判斷元器件的熱效應(yīng)變形分布; 

案例二 | Intel 元器件引腳不同溫度加載測試



試驗(yàn)背景:電子元器件在使用過程中會(huì)出現(xiàn)發(fā)熱,發(fā)熱和冷卻過程可視為熱疲勞過程。不同溫度載荷下元器件展現(xiàn)出不同應(yīng)變分布特性和位移特性,采用 VIC-3D 系統(tǒng)可直接觀測元器件在不同溫度變化過程中其引腳出現(xiàn)應(yīng)變集中和失效形式。由于電子元器件在顯微鏡和SEM下,圖像具有很大的光學(xué)畸變和失真,對(duì)實(shí)驗(yàn)結(jié)果產(chǎn)生誤差。VIC-3D 系統(tǒng)磚利的光學(xué)畸變校正算法可**解決在顯微鏡和 SEM下圖像的光學(xué)畸變和失真。VIC-3D 全場測量系統(tǒng)助力芯片封裝


▲引腳區(qū)域變形測試圖

▲引腳區(qū)域消除光學(xué)畸變前后的應(yīng)變與位移分布云圖



▲引腳區(qū)域消除光學(xué)畸變前后應(yīng)變分布曲線


研究內(nèi)容及關(guān)鍵點(diǎn):


?? VIC-3D 系統(tǒng)磚利的光學(xué)畸變校正算法可**解決在顯微鏡和 SEM 下圖像的光學(xué)畸變;


?? VIC-3D 系統(tǒng)可通過應(yīng)變云圖直接提取溫度疲勞載荷過程中影響區(qū)域的分布特性,作為引線鍵合失效判定依據(jù);


?? VIC-3D 系統(tǒng)應(yīng)變分析數(shù)據(jù)結(jié)果?,可直接用于不同材料熱膨脹系數(shù)判斷依據(jù);


?? 可直接測量 PCB 和引腳部位截面熱效應(yīng),直接測量熱變形引起的開膠等失效位置和應(yīng)變梯度;VIC-3D 全場測量系統(tǒng)助力芯片封裝



案例三 | 芯片 FCB (倒裝焊)熱效應(yīng)分析


試驗(yàn)背景:樹脂開裂是芯片和基板等電子封裝中常見的失效形式。硅板和基板采用200℃高溫加熱焊接。然而,硅片與有機(jī)層壓板之間的熱膨脹系數(shù)(CTE)不匹配導(dǎo)致層壓板中有大量殘余應(yīng)力。元器件在工作狀態(tài)中會(huì)產(chǎn)生熱疲勞,以及芯片和基板長時(shí)間工作產(chǎn)生低周疲勞,*終破壞層合板的回路,導(dǎo)致元器件不能正常運(yùn)行。由此,芯片封裝中硅片、基板以及粘結(jié)膠熱膨脹系數(shù)測量,和 FCB 等封裝焊點(diǎn)的應(yīng)變集中、熱效應(yīng)測試至關(guān)重要。VIC-3D 全場測量系統(tǒng)助力芯片封裝
 
▲元器件熱壓倒裝焊封裝示意圖
▲ 熱壓倒裝焊測量
▲ 倒角位置熱效應(yīng)分析 

VIC-3D系統(tǒng)在封裝工藝測試應(yīng)用:可直接測量封裝材料熱膨脹系數(shù),其測量過程中VIC-3D 光學(xué)畸變磚利技術(shù)和特有溫度梯度引起光線折射消除方案為測試精度提供**保證。VIC-3D系統(tǒng)可直接測量芯片封裝中,硅片、粘結(jié)層以及基板等熱變形效應(yīng)。測量芯片粘結(jié)關(guān)鍵位置力學(xué)特性,如三點(diǎn)彎測試,斷裂失效應(yīng)變分布和應(yīng)變集中位置。VIC-3D 全場測量系統(tǒng)助力芯片封裝

京公網(wǎng)安備 11030102010384號(hào)