CVD（化學(xué)氣相沉積）

CVD法是一種穩(wěn)定的技術(shù)，已經(jīng)建立起來用于多種用途，是未來考慮石墨烯和碳納米管大規(guī)模合成時*現(xiàn)實(shí)的方法。 制造商 Moorfield 與英國國家研究所合作，反復(fù)驗(yàn)證了這種沉積實(shí)驗(yàn)設(shè)備。 在研究機(jī)構(gòu)的合作下，已經(jīng)驗(yàn)證了利用拉曼光譜、SEM、AFM等分析數(shù)據(jù)可以生產(chǎn)出高質(zhì)量的石墨烯和CNT Mr./Ms.。
 

冷壁CVD

采用反應(yīng)快、重現(xiàn)性優(yōu)異的冷壁/高溫樣品加熱臺（熱板）。 設(shè)備更小，加工時間縮短，操作優(yōu)良，可創(chuàng)建和儲存30種合成配方。 除了標(biāo)準(zhǔn)系統(tǒng)配置外，還可以根據(jù)要求定制設(shè)備配置。 nanoCVD系統(tǒng)是一種小型實(shí)驗(yàn)裝置，具有無限潛力，可以為基礎(chǔ)研發(fā)領(lǐng)域做出貢獻(xiàn)。

特征

• 石墨烯和碳納米管（SWNT）沉積實(shí)驗(yàn)可以很容易地進(jìn)行，而無需使用大型設(shè)備。
• 1批只需30分鐘！
• 采用冷壁式高效、高精度的過程控制
• 快速升溫：RT→1100°C/約3分鐘
• 高性能機(jī)器，具有高精度的溫度流量控制和出色的重現(xiàn)性
• 簡單易用！ 通過 5 英寸觸摸屏進(jìn)行操作和配方管理
• *多可以創(chuàng)建和保存 30 個配方，30 個合成程序步驟。
• 標(biāo)配專用軟件，輸出為CSV文件，在PC上記錄數(shù)據(jù)
• USB線連接，PC端創(chuàng)建配方→上傳到設(shè)備

外形圖

主要技術(shù)指標(biāo)

A. 主要規(guī)格

1.反應(yīng)室室	不銹鋼SUS304檢漏
2.加熱階段	陶瓷
3. 對應(yīng)樣本量	20 x 40毫米
4.加熱加熱器	高純石墨加熱器 Max1050°C
5.溫度控制	包括K型熱電偶標(biāo)準(zhǔn)（安裝在加熱階段下方）

 

B. 過程控制設(shè)備規(guī)格

1.氣體控制	質(zhì)量流量控制器 x 3 （Ar， H2， CH4）
2.壓力控制	20托爾 F.S.
3.真空排氣	帶 RV3 的 Edwards 旋轉(zhuǎn)泵（3m3/hr）
4.操作面板	前置5英寸觸摸屏（歐姆龍制造）
5.風(fēng)冷	用于機(jī)柜內(nèi)部冷卻的冷卻風(fēng)扇
6.控制系統(tǒng)	PLC自動過程控制

 

C. 軟件（標(biāo)準(zhǔn)附件）

1. nanoCVD軟件	包括標(biāo)準(zhǔn)（安裝石墨烯的標(biāo)準(zhǔn)程序）
2. 接口	USB 2.0 連接
3. 設(shè)置數(shù)量	*多可編程和保存 30 個配方，30 個步驟

 

D. 進(jìn)氣口連接規(guī)格

1. 工藝氣體	3 x Ar、H2、CH4 1/4“ 世偉洛克管連接
2.載氣	N2，或氬φ6mm推鎖管連接 x 1

 

E. **裝置

1.過熱	由加熱級安裝熱電偶控制
2. 機(jī)柜內(nèi)部過熱	從內(nèi)部熱開關(guān)
3.氣壓異常	來自質(zhì)量流量控制器
4.降低真空度	來自真空傳感器

 

F. 公用事業(yè)

權(quán)力	AC200V 單相 50/60Hz 13A
1. 工藝氣體壓力	*大 30psi 200sccm
2.載氣壓力	60-80磅/平方英寸

 

G. 尺寸和重量

1. 外形尺寸	405mm（寬） x 415mm（深） x 280mm（高）
2.重量	約27kg

nanoCVD-8G（石墨烯）

納米CVD-8N（碳納米管）