SW-8400III.DF / SW-12400III.DF 硅片輸出氣體集熱器

特點：
能夠捕獲硅片8英寸和6英寸表面的揮發(fā)性成分（有機(jī)污染物）。 （SW-8400IIIDF）
它可以收集硅片12英寸表面的揮發(fā)性成分（有機(jī)污染物）。 （SW-12400IIIDF）
由于采用捕獲方法，因此沒有死體積，并且可以檢測到痕量成分。
從正面產(chǎn)生的氣體被可靠地收集起來，從背面產(chǎn)生的氣體通過真空泵完全釋放。
晶圓直接加熱，*高溫度為500°C。 （烘烤時）
采用時序控制（觸摸屏）。 更易于操作。

PAT（10 mL 內(nèi)部容積，含 Tenax GR 吸附劑）標(biāo)配除氣。 可選地，它還與每個制造商的收集管兼容。
超溫預(yù)防裝置、門聯(lián)鎖機(jī)構(gòu)、急停開關(guān)、漏水傳感器（可選）等**措施已到位。
可選地，可以對樣品管進(jìn)行多級升溫收集、分體式收集和電子冷卻（在收集時）。

在這種方法中，硅晶圓（SW）的表面覆蓋著頂板，僅收集表面的除氣。
吹掃氣體通過預(yù)熱管路后，沿著烤盤（鐘形頂板）的外壁流動，烤盤以鐘形固定在烘箱頂部，從外周引導(dǎo)穿過SW面到中心。
SW的背面由真空泵吸入，因此SW背面產(chǎn)生的氣體可以可靠地排出。

設(shè)備規(guī)格